三星德州二厂本月动工专供辉达超微HBM芯片产能全满

韩国媒体“每日经济新闻”今天引述产业消息报导，三星电子位于美国德州泰勒市（Taylor）的第二座晶圆厂，将为超微（AMD）与辉达（Nvidia）的高频宽记忆体（HBM）芯片生产基础晶粒（base die）。

根据“每日经济新闻”（Maeil Business Newspaper）报导，三星电子（Samsung Electronics）德州二厂预定本月正式动工，目前产能已全数获得订单，其中大部分订单来自超微。

报导指出，二厂将采先进的2奈米制程技术，厂区面积约25.1万平方公尺，约为三星与特斯拉（Tesla）签有合约的一厂面积的1.5倍。

报导表示，二厂预计自2029年2月起安装设备，并于2030年开始量产。

三星电子对此婉拒置评。