半导体和韩国ETF获强劲资金流入

全球ETF投资者正以创纪录的规模和极高的杠杆率“抄底”半导体和韩国市场，而内存板块却遭到持续无情抛售。 据追风交易台消息，摩根大通10月19日发布的最新资金流向报告显示，全球股票ETF单周（10月16日当周）狂揽463亿美元，其中3倍做多半导体ETF（SOXL）创下72亿美元的历史最高资金流入，韩国ETF迎来今年7月以来最强资金流入。然而，资金在科技板块内部出现显著分化，DRAM（内存）主题ETF连续第八周遭遇资金流出。

报告称，当前市场呈现出典型的"恐慌性抄底"特征——散户和激进投资者借助高杠杆工具押注AI相关半导体反弹，但机构CTA策略基金同步减仓美股，两股力量的博弈值得高度关注。内存与韩国整体市场的资金背离，则暗示市场对存储芯片基本面的担忧并未消散。 此外，CTA（商品交易顾问）基金开始削减美股敞口并做空罗素2000指数，固收市场则出现从长期国债向市政债券的轮动。 杠杆资金疯狂抄底，半导体与韩国市场成吸金主力 投资者对AI和科技股的信仰依然坚定，甚至动用了创纪录的杠杆工具。 数据显示，杠杆ETF产品单周资金流入达到创纪录的93亿美元。其中，半导体板块成为绝对的吸金主力，半导体ETF总计流入约76亿美元。值得注意的是，3倍做多半导体ETF（SOXL）单周资金流入高达72亿美元，创下历史新高，是此前周高点的三倍。 此外，韩国市场也迎来了自7月以来最强劲的买盘，单周流入13亿美元，其中约一半的资金涌入了3倍做多韩国ETF（KORU，约6亿美元）。其他杠杆产品如TQQQ（流入约8亿美元）和做空类杠杆SOXS（流入约5亿美元）也获得了显著的资金关注。 尽管韩国市场（以半导体和存储芯片出口为主）获得强劲买盘，但科技板块内部的资金流向却呈现出剧烈的分化。内存主题ETF（DRAM）连续第八周遭遇资金流出，并创下迄今为止最大的单周赎回规模（流出9亿美元）。 分析认为，这一现象表明，尽管投资者愿意通过宽基韩国ETF博取反弹，但对以SK海力士、美光等为代表的存储芯片细分赛道，市场仍持明显的规避态度。

美股其他板块遭抛售，CTA基金削减美股敞口 剥离科技板块的狂热，美股其他行业的资金流向普遍疲软。工业板块遭遇重挫，资金流出16亿美元，房地产、非必需消费品、公用事业和材料板块也均遭遇抛售。 从系统性资金来看，CTA基金很可能已经削减了美股敞口，因为标普500指数和纳斯达克100指数在周五跌破了50日移动平均线。 此外，CTA对罗素2000指数（RTY）的信号已翻转为做空。CFTC持仓数据也印证了这一点，资产管理公司卖出了罗素2000和中盘股（MID）期货，而杠杆基金则增加了2年期和10年期美国国债的空头头寸。 固收市场发生轮动，新兴市场与黄金获青睐，加密货币遭抛售 在固定收益方面，近期“逢低买入”的势头有所降温，单周流入100亿美元。投资者在债券内部进行了明显的轮动：资金大幅撤出长期国债（流出34亿美元）和抵押贷款支持证券（流出8亿美元），转而涌入市政债券（流入51亿美元，连续第三周出现强劲买盘）。 在新兴市场方面，巴西在最终选举轮投票前继续吸引强劲资金流入（12亿美元）。大宗商品方面，贵金属吸引了11亿美元的资金流入，主要由黄金ETF GLD（流入8亿美元）领导。而在货币/多资产类别中，加密货币ETF遭遇了7亿美元的资金流出。