三星Q3利润突破百万亿韩元

三星电子三季度营业利润创下历史新高，AI基础设施投资热潮推动存储芯片需求持续爆发，令这家全球最大存储芯片制造商坐收丰厚红利。

周四，三星发布初步业绩指引，2026年第三季度（7月至9月）合并营业利润约为107.4万亿韩元（约合801亿美元），较去年同期的12.17万亿韩元暴增近九倍，创下公司史上首次单季营业利润突破百万亿韩元的历史纪录。 这一数字超越LSEG综合预估的106.1万亿韩元，但略低于彭博分析师均值预期的108.7万亿韩元。三季度营收约为195万亿韩元，同比增长127%，亦低于市场预期。 这是三星连续第四个季度刷新营业利润纪录。此番业绩的驱动力集中于内存芯片业务，传统DRAM及NAND芯片供应偏紧、高带宽内存（HBM）需求强劲共同推高价格，令芯片部门盈利大幅扩张。 分析人士预计，供需失衡格局有望延续至2027年，届时AI相关需求将消化全球内存产能中日益增大的份额。三星将于本月29日发布含各业务分部拆分的完整财报。 AI需求爆发，供需缺口撑起芯片涨价 AI数据中心建设加速是本轮内存超级周期的核心驱动力。数据中心开发商为抢购AI服务器所需内存芯片而竞相下单，令供应端压力持续攀升。 传统DRAM与NAND芯片供应受限，叠加用于AI大规模数据处理的高带宽内存（HBM）需求持续扩张，推动整体内存价格大幅上行。 研究机构Counterpoint Research已将三季度DRAM价格涨幅预测从此前的环比5%至10%上调至10%至20%，理由是客户普遍提前下单，供应商定价权明显增强。 分析师普遍预计，供应增速将持续落后于需求，这一缺口在2027年或将进一步扩大，届时AI相关需求将吸纳全球存储产能中越来越大的份额。 HBM份额提升，三星追赶SK海力士 在HBM这一AI加速器核心配套芯片市场上，三星正逐步缩小与竞争对手SK海力士之间的差距。 分析师指出，传统DRAM出货量受库存水位限制，预计环比基本持平；但受HBM4强劲需求带动，HBM出货量有望较上季度大幅提升。 Douglas Research Advisory的Douglas Kim估计，三星三季度HBM位出货量环比增幅接近50%。与此同时，三星和SK海力士正双管齐下，一方面扩大产能，另一方面加大对AI领域企业的战略投资，以期进一步催生对自身产品的需求。 不过，韩元升值构成一定拖累。海外以美元计价的销售额折算成本币后，实际收入有所缩水，部分抵消了出货量增长带来的收益。 分析师预计，三星芯片部门单季营业利润可达110万亿韩元，成为整体业绩的绝对支柱；而其消费电子部门则预计录得亏损。 存储芯片价格上涨在提振半导体业务利润的同时，也推高了三星智能手机及其他电子消费品的零部件成本，令相关部门利润率承压。