长鑫存储第五代DRAM技术平台实现量产

中国存储晶片龙头长鑫存储20日（周日）在合肥举行的2026世界制造业大会上，宣布第五代DRAM（动态随机存取记忆体）技术平台正式量产，以更低成本和能耗，C造性能更强大的存储晶片，并为智能手机及其他电子设备的制造商提供额外的晶片供应源。

长鑫披露，这项新技术平台将存储数据的微小结构排列得更紧密，从而在单颗晶片上集成更多内存，并使每片硅晶圆（晶片核心基础材料）能切割出更多晶片。

长鑫科技副总裁兼市场中心负责人骆晓东表示：「我们的工艺能力目前已与业界最先进的量产节点相当。」

据介绍，长鑫通过四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

此外，长鑫也发布两款利用新技术平台打造的大容量LPDDR5X产品。LPDDR5X是一种节能型DRAM，主要用于智能手机及其他便携式电子设备。

长鑫表示，与上一代产品相比，新产品数据容量提升了50%以上，并已进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。