光刻机重大突破，俄正走出一条破坏式突围路子钛媒体

在过去很长一段时间，业内都觉得很奇怪，在西方全方位半导体制裁的高压之下，俄罗斯微电子产业一度陷入“无芯片可用”的绝境，甚至传出从洗衣机、冰箱中拆取芯片用于军事装备的消息。

然而近期，俄罗斯传出自主研发的光刻机突破的消息，为其国防工业续上了关键的“生命线”。

要知道，俄罗斯几乎是与西方脱钩最彻底的大国，从2022年开始，西方对俄罗斯的半导体制裁几乎封死了所有正规通道。理论上，俄罗斯的军用电子系统应该在2023年就开始崩溃。

但那些盯着2纳米芯片的国家或许无法理解，俄罗斯却在持续的战争和制裁中保持了关键系统的运行，战场电子战系统丝毫不见“缺芯”的迹象。

他们忘了一件事：俄罗斯的战争体系，不是建立在西方标准上的。

正因为不依赖西方的技术体系，俄罗斯光刻机反而取得了突破。

根据业内半导体媒体传出的重磅消息，俄罗斯光刻机搞出“气体靶”新路子，350纳米刚刚准备量产，不少业内人士都开始重新审视全球半导体设备的发展格局。

我们知道，欧美搞光源用的是锡滴，俄罗斯直接掀桌子换赛道，选用全新研发路径，与西方竞争对手试图突破现有系统参数（例如从0.55提升至高数值孔径，甚至从0.75提升至超高数值孔径）不同，俄罗斯学派提出改变物理原理。

所谓“气体靶”方案，本质是绕开荷兰ASML的技术垄断，是用氙气、锂气这类气体团簇替代传统锡滴光源，通过特殊喷嘴被送入真空室。

在超音速喷射过程中，气体凝结成纳米级团簇，当受到强大的飞秒激光脉冲轰击时，每个团簇都会转化为温度高达数百万度的微等离子体。

与锡靶材的主要区别在于，气体不会沉积在光学元件上。锡蒸发后不可避免地会在镜面上凝结，需要复杂的净化系统。而气体只需用真空泵抽出即可。

此外，通过调节气体混合物的成分，可以控制发射波长。锂氙团簇被证明是6.7纳米波段的最佳选择，气体团簇光源可以在远低于数十亿美元EUV光刻机的设备上实现，完成短波长光源的技术落地测试。

尽管俄罗斯目前缺乏量产型光刻机，但这项技术跳过13.5纳米时代，直接进入6.7纳米时代，并有望过渡到软X射线光刻。

由于这套全新研发出来的光源设备，在实际运作过程里能够减少多余杂质产生，日常运行过程中需要的维护工序更少，整体使用成本也能得到有效控制。

这其实更像是被全面制裁逼出来的无奈选择。

他们现在能拿出手的350纳米光刻机，在民用市场根本不够看，离全球主流的先进制程差了好几代，但它本来就是为了保军工和重工业芯片，能硬生生撕开西方的设备封锁就算赢了一步。

他们选的这条非标路线，等于要从零搭建一套生态，说到底，气体靶新路子是绝境下的创新尝试。

为什么俄罗斯能够突破核心光源技术？

俄罗斯的目标并未止步于350纳米，而是要造出自己的EUV光刻机。俄罗斯这次突破的核心，是集中在光刻机设备的核心光源板块，也是制造先进制程芯片最关键的核心部件之一。

这就要回到EUV光刻机的三大核心技术上——光源、投影物镜、工件台。其中最大的难点在于光源，俄罗斯正是这一领域的佼佼者。

事实上，早在上世纪70年代，当时的苏联就已经掌握了EUV照相光刻的技术，甚至荷兰ASML研究EUV光刻机时就使用了俄方技术，比如早期研究的光源理论来自俄罗斯科学院，同时俄罗斯向其提供了大量的光学器件。

在苏联解体后，俄罗斯的科学家们也没有放弃这项技术，而是一直在默默耕耘，为"EUV光刻机"的关键技术开发做出了重要贡献。国际光源三巨头之一就是俄罗斯的圣光机。

此外，俄罗斯科学院的微结构物理研究所还为荷兰开发了多层镜制造技术，这在当时算得上是一个了不起的成就。

光刻机的研发需要数学家，物理学家，而俄罗斯一直以来也是理工科的强国，特别是数学，物理学，化学。

俄罗斯这套方案之所以看起来有底子，很大程度上得益于苏联时期在激光物理、X射线光学、等离子体物理等领域几十年的持续积累。历史底蕴在尖端科技领域的分量不容小觑。

总的来说，此次技术突破最大的价值，就是开辟出一条全新的研发方向，打破固有技术思路带来的发展局限，也给全球半导体设备研发领域，提供了不一样的发展思路。