清华18篇论文全球第一水木TsinghuaCent

在刚刚落幕的2026年国际固态电路会议（ISSCC）上，中国高校交出了一份亮眼的答卷。

2月15日至19日，这场被誉为“芯片奥林匹克”的顶级学术会议在美国旧金山举行。今年投稿论文首次突破1000篇，达到1025篇，最终仅收录257篇，25.07%的录取率创下历史新低，竞争之激烈可见一斑。

就在这样的严苛筛选中，清华大学以第一作者单位发表了18篇论文，位居全球第一，紧随其后的是荷兰代尔夫特大学和韩国三星（各13篇）。

这18篇论文覆盖处理器、AI加速器、高速接口、数据转换器、射频电路、电源管理、安全芯片等关键领域，与人工智能、大数据等新兴产业方向紧密相关。更值得一提的是，其中有4篇被评为大会亮点论文，同样领跑中国内地高校。

从0到全球第一：清华集成电路的“十八般武艺”

翻开这18篇论文的清单，就像翻开一本芯片设计的“武林秘籍”——各路高手在不同方向上都拿出了看家本领。

在处理器方向，有团队针对4D Gaussian Splatting（一种颠覆性的3D/4D重建与实时渲染技术）设计了专用硬件加速器，采用28nm工艺，将渲染能耗降低了2.42倍。这种技术广泛应用于VR、AR和工业仿真，是下一代视觉体验的核心支撑。

另一篇同样聚焦3D Gaussian Splatting的论文，渲染吞吐量提升了3.4倍，单帧能耗降低74.1%，建模延迟降低一个数量级。

在高速接口领域，清华团队用成熟的65nm CMOS工艺，实现了单通道240Gbps的PAM4发射数据率，能效1.3pJ/bit，可与5nm/3nm的先进FinFET工艺相媲美。这给业界一个重要启示：在速度和功耗极限要求下，全定制的模拟设计依然具备独特优势。

在数据转换器方向，一篇亮点论文实现了500MS/s采样率的流水线-逐次逼近ADC，实测无杂散动态范围达到94.5dB，刷新了200MS/s以上采样率离散时间ADC的世界纪录。

在AI加速器领域，清华与华为、字节跳动等企业合作，推出基于HYDAR框架的28nm混合存内计算芯片，面向推荐系统实现390K QPS的吞吐率与1574K QPS/W的能效比，可扩展至百万级实时推荐系统。

在安全芯片方向，一篇亮点论文首次将可证明侧信道安全的防护开销压缩到仅17%/27%的面积/能耗代价，在超1亿条功耗/电磁测试下实现零泄漏，展示了安全技术落地的工程实力。

还有面向十亿参数级大模型的投机推理处理器、实现98.5dB SNDR的连续时间Zoom ADC、支持片上迁移学习的仿生嗅觉处理器……每一项突破都在各自的细分领域刻下清华印记。

从2008到2026：厚积薄发的清华“芯”路

这份成绩单并非一蹴而就。清华大学在2008年实现了ISSCC论文“零的突破”，从2019年开始连续8年有论文入选并进入快速增长期，到2026年终于实现全球领先。

特别值得一提的是，2021年4月清华大学集成电路学院成立后，聚焦集成电路全产业链，贯彻“三位一体”教育理念，高起点建设集成电路科学与工程一级学科。此后每年保持10+篇的论文入选ISSCC，彰显了学院在国际上获得的认可，也反映了研究厚度。

正如集成电路学院首任院长吴华强所说，学院致力于培养一批能够承担起我国集成电路科技和产业发展重任的卓越创新人才。从今年的ISSCC成绩单来看，这份承诺正在变成现实。

在“芯片奥林匹克”的赛场上，清华人正在用硬核成果，书写中国集成电路的崭新篇章。