韩媒唱衰：中国十年内搞不出EUV光刻机钛媒体

2026年4月，韩媒《韩国先驱报》发了篇专题评论，断言中国在本十年内没法实现EUV光刻机自主化。

理由是中国面对EUV的技术壁垒与国际供应链封锁的双重难题。以前美国主要禁最顶尖的EUV光刻机，现在直接扩大到所有DUV浸没式光刻机，要求荷兰等盟友在150天内实施同等禁令。中国造光刻机的难度在不断叠加，这个预言赌的不是技术时间表，是中国造光刻机的现实困境。

不过，相对于韩媒的唱衰，ASML更多是焦虑。ASML的CEO傅恪礼近期就表示：把中国逼急了，等它搞出自己的东西，搞不好以后是中国反过来卖给我们。

ASML的担忧很现实，2026年一季度，中国大陆市场的占比从去年第四季度的超三分之一降至19%。韩国在今年一季度超越中国，成为了当前ASML全球最大市场。一年前还是＂最大金主＂，转眼就被挤到第三。

不过，韩媒的唱衰并非毫无根据，现在全世界没任何一国能单独造出EUV光刻机，因为它实在是难度太高了。

造EUV光刻机有多难？

光刻机有10万多个零件，每一步都需要先进的工艺与零件，甚至如果是EUV光刻机坏了，从那些密密麻麻的线束中，找到故障进行维修，都不是一件容易的事情。

ASML公司的EUV光刻机，需要顶级的镜头和光源以及极致的机械精度与复合材料，光源采用美国的Cymer，透镜是德国的蔡司，复合材料是来自日本等等。

光刻机的激光，镜头，双工台，都是精密仪器的顶尖水平，其中，光刻机有两个同步运动的工件台，一个载底片，一个载胶片。而双工台是控制套刻载体，要求极高的稳定性和精确性两者需始终同步，误差在2纳米以下。它的原理就是类似把电路图缩印到晶圆“纸”上。

从其精度来看，相当于是把电路图画到一粒沙子上，某业内人士打了一个比喻，同步运动的工件台机制相当于，把这个沙子放到一个赛车的挡风玻璃上，让你开另外一辆赛车，一边追一边在这一粒沙子画电路图，还不能出错。

SMEE总经理贺荣明也说了一个类似的比喻：“相当于两架大飞机从起飞到降落，始终齐头并进。一架飞机上伸出一把刀，在另一架飞机的米粒上刻字，不能刻坏了。”它需要结合光学、材料、控制、电子、机械、化学等最顶尖的技术。

不过现在也不是完全没进展：长春光机所2023年已经落地国产极紫外光源样机，国望光学的28nm浸润式镜头已经量产，正在攻关EUV级别的光学系统。华卓精科成为全球第二家掌握双工件台技术的企业等。

但总体而言，距离造出一台国产EUV光刻机，还有很远的距离。

我们知道，光刻机这种精密产品，类似于高端数控机床以及燃油车发动机等高度精密机械的产品竞争。光刻工艺直接决定了芯片中晶体管的尺寸和性能，这种工艺技术是随着时间不断叠加优势，壁垒也是不断往前推进的，后来者沿着它原有的路径其实很难突破技术壁垒。

其实如果要超越它，寻找另一种技术替代方案与路径可能会是更现实的走法，中国的策略很清醒——不会把鸡蛋放在一个篮子里面，而是用基础科学的突破寻求对现有壁垒的降维式打击，寻求多路线并进。

我国的三条路线都已经开始突围。

首先是纳米压印光刻技术路线。这方面技术过去一直是日本佳能领先，其最先进的纳米压印光刻设备线宽已达14nm，对应传统5nm制程。不过，这个纪录被中企打破。

国内企业璞璘科技自主设计研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备已经交付给国内特色工艺客户产线使用，这台纳米压印设备，线宽＜10nm ，能够用于储存芯片、硅基微显、硅光及先进封装等领域，这台设备，已经是量产的设备，不是PPT了。

其次是电子束光刻技术路线。浙江大学研发团队推出我国首台国产商业电子束光刻机，命名为“羲之”， 精度0.6nm，线宽8nm，用电子束在芯片上刻写电路。

这个也不是PPT，而是有了成品机，并已经进入应用测试。

不过，纳米压印和电子束这两种都有缺点，单从精度看，纳米压印已接近EUV光刻机，但替代传统光刻技术仍面临挑战，虽然纳米压印的成本与能耗更低，技术壁垒低，但是劣势在于缺陷率较高，对其精度不足，生产效率与兼容性不足，ASML的EUV光刻机每小时可处理175-220片晶片，纳米压印设备不足100片。

尽管存在局限，纳米压印在特定领域已实现应用，如存储芯片、光学零件、LED等，这些领域对对齐精度要求较低，更看重成本与效率，其优势可充分发挥。